IP

具有低閘極電荷之溝槽金氧半導體場效電晶體

通用半導體股份有限公司

申請案號
091133164
公告號
200300295
申請日期
2002-11-12
申請人
通用半導體股份有限公司
發明人
薛峰葉
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

H01L29/772
查看申請人公司資訊

本站使用 Cookie 進行流量分析，以提供更好的使用體驗。

具有低閘極電荷之溝槽金氧半導體場效電晶體 - 專利資訊 | NowTo 智財通