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用於快閃記憶晶胞的ONO內複晶介電質以及使用一單晶圓低溫沈積製程來製作此介電質之方法

旺宏電子股份有限公司

申請案號
091133342
公告號
200407974
申請日期
2002-11-14
申請人
旺宏電子股份有限公司
發明人
謝榮裕
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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用於快閃記憶晶胞的ONO內複晶介電質以及使用一單晶圓低溫沈積製程來製作此介電質之方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通