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達成高Ｑ值和低插入損耗的薄膜體聲共振器之結構及製造程序

英特爾公司

申請案號
091134597
公告號
200301576
申請日期
2002-11-28
申請人
英特爾公司
發明人
王利朋
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

H01L41/04
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達成高Ｑ值和低插入損耗的薄膜體聲共振器之結構及製造程序 - 專利資訊 | NowTo 智財通