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高功率│低雜訊微波ＧａＮ異質接合面場效電晶體

荷爾實驗室有限公司

申請案號
091135556
公告號
200305283
申請日期
2002-12-06
申請人
荷爾實驗室有限公司
發明人
米洛斯拉夫　米科維克
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

H01L29/772
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高功率│低雜訊微波ＧａＮ異質接合面場效電晶體 - 專利資訊 | NowTo 智財通