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形成雙接合面區域之方法及使用該雙接合面區域以形成移轉電晶體之方法

海力士半導體股份有限公司

申請案號
091136438
公告號
200402147
申請日期
2002-12-17
申請人
海力士半導體股份有限公司
發明人
黃儆弼
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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