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使薄半導體層轉變的方法及在該轉變中獲取施體晶圓的方法

斯歐埃技術公司

申請案號
091136755
公告號
200305208
申請日期
2002-12-20
申請人
斯歐埃技術公司
發明人
李特瑞
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

H01L21/301
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使薄半導體層轉變的方法及在該轉變中獲取施體晶圓的方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通