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具有包含由使用其亦為摻雜源之蝕刻氣體之溝槽蝕刻所形成的摻雜柱之電壓維持區的高壓電力金氧半導體場效電晶體

通用半導體股份有限公司

申請案號
091137180
公告號
200304170
申請日期
2002-12-24
申請人
通用半導體股份有限公司
發明人
理查 布蘭查
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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具有包含由使用其亦為摻雜源之蝕刻氣體之溝槽蝕刻所形成的摻雜柱之電壓維持區的高壓電力金氧半導體場效電晶體 - 專利資訊 | NowTo 智財通