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強化抵抗單一事件破壞之槽狀閘極雙擴散金氧半電晶體之結構及其方法

國立彰化師範大學

申請案號
091137556
公告號
200411931
申請日期
2002-12-23
申請人
國立彰化師範大學
發明人
賴永齡
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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強化抵抗單一事件破壞之槽狀閘極雙擴散金氧半電晶體之結構及其方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通