IP

氧化侷限型之垂直共振腔面射型雷射元件及其製造方法

財團法人工業技術研究院

申請案號
091137787
公告號
200412001
申請日期
2002-12-27
申請人
財團法人工業技術研究院
發明人
江文章
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

本站使用 Cookie 進行流量分析,以提供更好的使用體驗。

氧化侷限型之垂直共振腔面射型雷射元件及其製造方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通