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具有超薄之應變矽通道之金氧半導體場效電晶體及其製作方法

台灣積體電路製造股份有限公司

申請案號
092100857
公告號
200305284
申請日期
2003-01-16
申請人
台灣積體電路製造股份有限公司
發明人
楊育佳
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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具有超薄之應變矽通道之金氧半導體場效電晶體及其製作方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通