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專利資訊
具有超薄之應變矽通道之金氧半導體場效電晶體及其製作方法
台灣積體電路製造股份有限公司
申請案號
092100857
公告號
200305284
申請日期
2003-01-16
申請人
台灣積體電路製造股份有限公司
發明人
楊育佳
資料更新日
2026-04-04
IPC 分類
H01L29/772
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