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具有高崩潰電壓的橫向雙擴散金氧半電晶體結構及其製造方法

台灣積體電路製造股份有限公司

申請案號
092101325
公告號
200414545
申請日期
2003-01-22
申請人
台灣積體電路製造股份有限公司
發明人
黃志豐
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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具有高崩潰電壓的橫向雙擴散金氧半電晶體結構及其製造方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通