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防止阻障層被過度蝕刻的方法及半導體結構、以及應用上述方法形成接觸窗的方法
茂德科技股份有限公司
申請案號
092101794
公告號
200414323
申請日期
2003-01-28
申請人
茂德科技股份有限公司
發明人
巫勇賢
資料更新日
2026-04-04
IPC 分類
H01L21/28
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