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專利資訊
藉由去耦電漿氮化後退火之改良超薄閘極氧化物
特許半導體製造公司
申請案號
092104145
公告號
200304177
申請日期
2003-02-27
申請人
特許半導體製造公司
發明人
鐘棟
資料更新日
2026-04-04
IPC 分類
H01L21/28
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藉由去耦電漿氮化後退火之改良超薄閘極氧化物 - 專利資訊 | NowTo 智財通