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使用多層埋設非晶層的絕緣體上覆半導體之金氧場效電晶體接面降解方法

高級微裝置公司

申請案號
092104158
公告號
200305939
申請日期
2003-02-27
申請人
高級微裝置公司
發明人
安迪 韋
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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使用多層埋設非晶層的絕緣體上覆半導體之金氧場效電晶體接面降解方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通