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專利資訊
側面擴散金屬氧化半導體電晶體之結構及其製作方法
世界先進積體電路股份有限公司
申請案號
092104558
公告號
200418176
申請日期
2003-03-04
申請人
世界先進積體電路股份有限公司
發明人
楊家偉
資料更新日
2026-04-04
IPC 分類
H01L29/772
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