IP

側面擴散金屬氧化半導體電晶體之結構及其製作方法

世界先進積體電路股份有限公司

申請案號
092104558
公告號
200418176
申請日期
2003-03-04
申請人
世界先進積體電路股份有限公司
發明人
楊家偉
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

本站使用 Cookie 進行流量分析,以提供更好的使用體驗。

側面擴散金屬氧化半導體電晶體之結構及其製作方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通