IP
NowTo 智財通
EN
首頁
/
專利資訊
溝渠式功率型金氧半場效電晶體的製造方法
富鼎先進電子股份有限公司
申請案號
092104856
公告號
200418177
申請日期
2003-03-06
申請人
富鼎先進電子股份有限公司
發明人
林昭言
資料更新日
2026-04-04
IPC 分類
H01L29/772
查看申請人公司資訊
本站使用 Cookie 進行流量分析,以提供更好的使用體驗。
拒絕
接受
×
溝渠式功率型金氧半場效電晶體的製造方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通