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具有增進的溝槽結構之溝槽式ＤＭＯＳ電晶體

通用半導體股份有限公司

申請案號
092105236
公告號
200305286
申請日期
2003-03-11
申請人
通用半導體股份有限公司
發明人
索昆章
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

H01L29/78
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具有增進的溝槽結構之溝槽式ＤＭＯＳ電晶體 - 專利資訊 | NowTo 智財通