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專利資訊
於積體電路中含矽導體區域形成改良之金屬矽化物部分之方法
格羅方德半導體公司
申請案號
092105990
公告號
200307988
申請日期
2003-03-19
申請人
格羅方德半導體公司
發明人
卡士登 威察勒克
資料更新日
2026-04-04
IPC 分類
H01L21/20
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於積體電路中含矽導體區域形成改良之金屬矽化物部分之方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通