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用以分解半導體裝置圖樣為用於無鉻相位微影之相位及鉻區域之方法和裝置

ＡＳＭＬ荷蘭公司

申請案號
092106620
公告號
200307190
申請日期
2003-03-25
申請人
ＡＳＭＬ荷蘭公司
發明人
道格拉斯　凡　旦　布魯克
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

G03F9/00
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用以分解半導體裝置圖樣為用於無鉻相位微影之相位及鉻區域之方法和裝置 - 專利資訊 | NowTo 智財通