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具低電容值的溝渠式功率型金氧半場效電晶體及製造方法

富鼎先進電子股份有限公司

申請案號
092107198
公告號
200419801
申請日期
2003-03-28
申請人
富鼎先進電子股份有限公司
發明人
林昭言
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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具低電容值的溝渠式功率型金氧半場效電晶體及製造方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通