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用於在一半導體形成一接合面之方法及用於將一摻雜物植入一半導體之方法

瓦里安半導體設備聯合公司

申請案號
092107417
公告號
200307315
申請日期
2003-04-01
申請人
瓦里安半導體設備聯合公司
發明人
丹尼爾 F 唐尼
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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用於在一半導體形成一接合面之方法及用於將一摻雜物植入一半導體之方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通