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具有浮接N型井的P型金氧半導體記憶單元

力旺電子股份有限公司

申請案號
092107482
公告號
200421596
申請日期
2003-04-02
申請人
力旺電子股份有限公司
發明人
許佑銘
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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