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用於利用短時間的熱製程之薄膜層的化學形成之方法
維瑞安半導體設備公司
申請案號
092108079
公告號
200305206
申請日期
2003-04-09
申請人
維瑞安半導體設備公司
發明人
丹尼爾F 道寧
資料更新日
2026-04-04
IPC 分類
H01L21/265
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用於利用短時間的熱製程之薄膜層的化學形成之方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通