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雙溝渠式功率金氧半場效電晶體（ＭＯＳＦＥＴ）裝置及其製造方法

華瑞股份有限公司

申請案號
092108278
公告號
200421612
申請日期
2003-04-10
申請人
華瑞股份有限公司
發明人
貢中元
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

H01L29/772
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雙溝渠式功率金氧半場效電晶體（ＭＯＳＦＥＴ）裝置及其製造方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通