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具有通至位於上表面上之汲極接點的低電阻路徑之溝槽雙擴散金氧半導體電晶體結構

通用半導體股份有限公司

申請案號
092113246
公告號
200425510
申請日期
2003-05-15
申請人
通用半導體股份有限公司
發明人
理查 布蘭查
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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具有通至位於上表面上之汲極接點的低電阻路徑之溝槽雙擴散金氧半導體電晶體結構 - 專利資訊 | NowTo 智財通