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以減少遠處散射之閘極氧化製造高性能金屬氧化物半導體電晶體之方法

格羅方德半導體公司

申請案號
092113428
公告號
200401451
申請日期
2003-05-19
申請人
格羅方德半導體公司
發明人
金鉉席
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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以減少遠處散射之閘極氧化製造高性能金屬氧化物半導體電晶體之方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通