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在原矽基板具有增強自動對準介電區域之絕緣體上矽型半導體裝置之製造方法

格羅方德半導體公司

申請案號
092114516
公告號
200401349
申請日期
2003-05-29
申請人
格羅方德半導體公司
發明人
魏安迪 C
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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在原矽基板具有增強自動對準介電區域之絕緣體上矽型半導體裝置之製造方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通