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在SOI基板之原基板上形成摻雜質區域之方法,以控制形成於該基板上之電晶體之動作特性,以及具有該基板之積體電路裝置

格羅方德半導體公司

申請案號
092114995
公告號
200400637
申請日期
2003-06-03
申請人
格羅方德半導體公司
發明人
德瑞克J 瑞斯特
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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在SOI基板之原基板上形成摻雜質區域之方法,以控制形成於該基板上之電晶體之動作特性,以及具有該基板之積體電路裝置 - 專利資訊 | NowTo 智財通