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金屬矽化雙層結構及其形成方法與具有金屬矽化雙層結構之半導體裝置及其形成方法

台灣積體電路製造股份有限公司

申請案號
092115017
公告號
200428533
申請日期
2003-06-03
申請人
台灣積體電路製造股份有限公司
發明人
張志維
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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金屬矽化雙層結構及其形成方法與具有金屬矽化雙層結構之半導體裝置及其形成方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通