IP

高深寬比ＳＯＩ結構使用交替沉積蝕刻和脈衝電漿的無刻痕蝕刻

尤那西斯美國公司

申請案號
092117071
公告號
200405470
申請日期
2003-06-24
申請人
尤那西斯美國公司
發明人
大衛Ｊ　強生
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

H01L21/3213
查看申請人公司資訊

本站使用 Cookie 進行流量分析，以提供更好的使用體驗。

高深寬比ＳＯＩ結構使用交替沉積蝕刻和脈衝電漿的無刻痕蝕刻 - 專利資訊 | NowTo 智財通