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製造高純度碳化矽結晶中半絕緣電阻率的方法
美商沃孚半導體有限公司
申請案號
092117120
公告號
200409245
申請日期
2003-06-24
申請人
美商沃孚半導體有限公司
發明人
傑森 羅納德 傑尼
資料更新日
2026-04-04
IPC 分類
H01L21/324
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