IP

製造高純度碳化矽結晶中半絕緣電阻率的方法

美商沃孚半導體有限公司

申請案號
092117120
公告號
200409245
申請日期
2003-06-24
申請人
美商沃孚半導體有限公司
發明人
傑森 羅納德 傑尼
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

本站使用 Cookie 進行流量分析,以提供更好的使用體驗。

製造高純度碳化矽結晶中半絕緣電阻率的方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通