IP

以ＧａＮ為主之發出幅射之薄層半導體組件

歐斯朗奧托半導體股份有限公司

申請案號
092117406
公告號
200405589
申請日期
2003-06-26
申請人
歐斯朗奧托半導體股份有限公司
發明人
伯特侯哈恩
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

H01L33/00
查看申請人公司資訊

本站使用 Cookie 進行流量分析，以提供更好的使用體驗。

以ＧａＮ為主之發出幅射之薄層半導體組件 - 專利資訊 | NowTo 智財通