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用於動態臨界電壓控制之多晶矽背閘式絕緣覆矽之金氧半場效電晶體

萬國商業機器公司

申請案號
092117588
公告號
200404371
申請日期
2003-06-27
申請人
萬國商業機器公司
發明人
丹納德 羅伯特 H
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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用於動態臨界電壓控制之多晶矽背閘式絕緣覆矽之金氧半場效電晶體 - 專利資訊 | NowTo 智財通