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具有高起的源極/汲極之金氧半電晶體與其製造方法

台灣積體電路製造股份有限公司

申請案號
092117704
公告號
200501431
申請日期
2003-06-27
申請人
台灣積體電路製造股份有限公司
發明人
楊國男
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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