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改善１Ｔ　ＳＲＡＭ製程上電極層因應力導致縫隙產生之方法

台灣積體電路製造股份有限公司

申請案號
092118245
公告號
200503186
申請日期
2003-07-03
申請人
台灣積體電路製造股份有限公司
發明人
涂國基
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

H01L21/8244
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