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淺溝道隔離（ＳＴＩ）處理之雙襯墊氧化物製程

中芯國際集成電路製造（上海）有限公司

申請案號
092119063
公告號
200503158
申請日期
2003-07-11
申請人
中芯國際集成電路製造（上海）有限公司
發明人
尹德源
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

H01L21/764
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淺溝道隔離（ＳＴＩ）處理之雙襯墊氧化物製程 - 專利資訊 | NowTo 智財通