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專利資訊
使用一金屬氧化物形成一雙閘極氧化物裝置之方法及其形成之裝置
飛思卡爾半導體公司
申請案號
092119272
公告號
200414529
申請日期
2003-07-15
申請人
飛思卡爾半導體公司
發明人
大衛C 吉爾摩
資料更新日
2026-04-04
IPC 分類
H10D99/00
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使用一金屬氧化物形成一雙閘極氧化物裝置之方法及其形成之裝置 - 專利資訊 | NowTo 智財通