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專利資訊
使用可棄式間隙壁之金氧半場效電晶體的製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
申請案號
092119334
公告號
200503270
申請日期
2003-07-15
申請人
台灣積體電路製造股份有限公司
發明人
馮家馨
資料更新日
2026-04-04
IPC 分類
H01L29/772
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