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具有深N井區之串接二極體結構以及形成該具有深N井區之串接二極體的方法

瑞昱半導體股份有限公司

申請案號
092119466
公告號
200505021
申請日期
2003-07-16
申請人
瑞昱半導體股份有限公司
發明人
葉達勳
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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具有深N井區之串接二極體結構以及形成該具有深N井區之串接二極體的方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通