IP

可同時具有部分空乏電晶體與完全空乏電晶體之晶片及其製作方法

台灣積體電路製造股份有限公司

申請案號
092120623
公告號
200423403
申請日期
2003-07-29
申請人
台灣積體電路製造股份有限公司
發明人
楊育佳
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

本站使用 Cookie 進行流量分析,以提供更好的使用體驗。

可同時具有部分空乏電晶體與完全空乏電晶體之晶片及其製作方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通