IP
NowTo 智財通
EN
首頁
/
專利資訊
藉由稀釋氣體濺射去除電漿沉積表面層
維瑞安半導體設備公司
申請案號
092121107
公告號
200402769
申請日期
2003-08-01
申請人
維瑞安半導體設備公司
發明人
史蒂芬R 沃瑟
資料更新日
2026-04-04
IPC 分類
H01L21/20
查看申請人公司資訊
本站使用 Cookie 進行流量分析,以提供更好的使用體驗。
拒絕
接受
×
藉由稀釋氣體濺射去除電漿沉積表面層 - 專利資訊 | NowTo 智財通