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藉由稀釋氣體濺射去除電漿沉積表面層

維瑞安半導體設備公司

申請案號
092121107
公告號
200402769
申請日期
2003-08-01
申請人
維瑞安半導體設備公司
發明人
史蒂芬R 沃瑟
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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藉由稀釋氣體濺射去除電漿沉積表面層 - 專利資訊 | NowTo 智財通