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供改良的ＭＲＡＭ穿隧接面之奈米結晶層及其形成方法

艾爾斯賓科技公司

申請案號
092121639
公告號
200405335
申請日期
2003-08-07
申請人
艾爾斯賓科技公司
發明人
喬Ｍ　史勞特
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

G11C11/14
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供改良的ＭＲＡＭ穿隧接面之奈米結晶層及其形成方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通