IP

雷射結晶化處理基材上薄膜區域以提供實質均一性之製程與系統及此種薄膜區域之結構

紐約市哥倫比亞大學理事會

申請案號
092122787
公告號
200405474
申請日期
2003-08-19
申請人
紐約市哥倫比亞大學理事會
發明人
詹姆士S 埃恩
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

本站使用 Cookie 進行流量分析,以提供更好的使用體驗。

雷射結晶化處理基材上薄膜區域以提供實質均一性之製程與系統及此種薄膜區域之結構 - 專利資訊 | NowTo 智財通