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用於基材上薄膜區域的雷射結晶化處理以提供該等區域中之地區內與其邊緣地區的實質均一性之方法與系統及此種薄膜區域之結構
紐約市哥倫比亞大學理事會
申請案號
092122789
公告號
200407607
申請日期
2003-08-19
申請人
紐約市哥倫比亞大學理事會
發明人
詹姆士S 埃恩
資料更新日
2026-04-04
IPC 分類
G02F1/133
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用於基材上薄膜區域的雷射結晶化處理以提供該等區域中之地區內與其邊緣地區的實質均一性之方法與系統及此種薄膜區域之結構 - 專利資訊 | NowTo 智財通