IP

半導體元件中形成高介電層的方法

三星電子股份有限公司

申請案號
092124828
公告號
200405434
申請日期
2003-09-09
申請人
三星電子股份有限公司
發明人
都昔柱
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

本站使用 Cookie 進行流量分析,以提供更好的使用體驗。

半導體元件中形成高介電層的方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通