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專利資訊
半導體元件中形成高介電層的方法
三星電子股份有限公司
申請案號
092124828
公告號
200405434
申請日期
2003-09-09
申請人
三星電子股份有限公司
發明人
都昔柱
資料更新日
2026-04-04
IPC 分類
H01L21/20
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