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利用逆向離子植入方式形成高壓互補式金氧半導體之方法

上海宏力半導體製造有限公司

申請案號
092125149
公告號
200511397
申請日期
2003-09-12
申請人
上海宏力半導體製造有限公司
發明人
高榮正
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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利用逆向離子植入方式形成高壓互補式金氧半導體之方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通