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具有鎳鍺矽化物閘極之金氧半導體場效電晶體及其形成方法

高級微裝置公司

申請案號
092125871
公告號
200417029
申請日期
2003-09-19
申請人
高級微裝置公司
發明人
培頓 艾瑞克N
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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具有鎳鍺矽化物閘極之金氧半導體場效電晶體及其形成方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通