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具有Ｐ型閘極之Ｎ型通道金氧半導體電晶體的製造方法

茂德科技股份有限公司

申請案號
092126145
公告號
200512937
申請日期
2003-09-23
申請人
茂德科技股份有限公司
發明人
葉文源
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

H01L29/772
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具有Ｐ型閘極之Ｎ型通道金氧半導體電晶體的製造方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通