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用於清洗半導體處理室之氟基及/或含氟之鹵素間(XFn)化合物之就地產生系統

尖端科技材料股份有限公司

申請案號
092126310
公告號
200413111
申請日期
2003-09-24
申請人
尖端科技材料股份有限公司
發明人
荷西亞諾
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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用於清洗半導體處理室之氟基及/或含氟之鹵素間(XFn)化合物之就地產生系統 - 專利資訊 | NowTo 智財通