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製造半導體裝置的方法及於積體電路製作時抑制硼離子滲透至閘極氧化層的方法

旺宏電子股份有限公司

申請案號
092128262
公告號
200514151
申請日期
2003-10-13
申請人
旺宏電子股份有限公司
發明人
王嗣裕
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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製造半導體裝置的方法及於積體電路製作時抑制硼離子滲透至閘極氧化層的方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通